XI Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2013»

16 - 20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург

Рубрики: Конференция | Физика

URL мероприятия: http://www.ioffe.ru/semicond2013/

Описание:

16–20 сентября 2013 г., Санкт-Петербург.

Тематика:

  • Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
  • Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
  • Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные и оптические свойства, электронный транспорт, микрорезонаторы.
  • Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, высокочастотный транспорт, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
  • Одномерные и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный транспорт, оптические свойства, локализация.
  • Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
  • Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
  • Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
  • Органические полупроводники, молекулярные системы.
  • Углеродные наноматериалы.
  • Метаматериалы и фотонные кристаллы.
  • Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
  • Наномеханика.
  • Топологический изолятор.

Окончание регистрации и крайний срок подачи тезисов: 22 марта 2013 года.

Срок подачи заявок: 22 марта 2013 г.

Организаторы:
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. Иоффе),
Научный совет РАН по физике полупроводников,
Отделение физических наук РАН,
ЗАО «Интеллект»
при поддержке
Российской академии наук,
Российского фонда фундаментальных исследований,
Фонда некоммерческих программ «Династия».

Контактная информация:
194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая д. 26, ФТИ им. Иоффе;
Тиснек Татьяна Владимировна:
тел: (812) 292-71-52;
E-mail: semicond2013@mail.ioffe.ru.

Источник информации: http://elementy.ru/