Сабельфельд К.К.  

Алгоритмы стохастического моделирования для уравнений дрифта-диффузии и визуализации наноструктурированных материалов

В докладе представлены новые результаты автора в области стохастического моделирования стационарных и нестационарных процессов дрифта-диффузии-реакций и их приложений в задачах оптоэлектроники, визуализации наноразмерных материалов, оценки квантовой эффективности светодиодов и сенсоров, и ряд других приложений. Разработанные методы являются бессеточными как по пространству, так и по времени. Другой важной особенностью методов является возможность прямого вычисления различных интегральных функционалов без вычисления самого поля решений. В частности, в задачах катодолюминесценции и при вычислении тока, индуцированного электронным пучком, непосредственно вычисляются потоки экситонов на поверхность полупроводника и общая концентрация экситонов с радиационной рекомбинацией. Предложенный метод стохастического моделирования распространен и на системы уравнений дрифта-диффузии, описывающих рекомбинацию экситонов различной природы. Важной особенностью предложенного метода является точное моделирование траекторий, при этом нет разделения процессов диффузии и дрифта. Возможности метода иллюстрируются решением ряда прикладных задач оптоэлектроники.


К списку докладов