Novosibirsk, Russia, May, 30 – June, 4, 2011

International Conference
"Modern Problems of Applied Mathematics and Mechanics: Theory, Experiment and Applications", devoted to the 90th anniversary of professor Nikolai N. Yanenko

Semisalov B.V.  

Конструирование вычислительных алгоритмов в задаче о переносе заряда в 2D кремниевом транзисторе MOSFET с наноканалом из оксида кремния

Рассматривается задача о переносе заряда в 2D кремниевом транзисторе MOSFET с присоединённым к нему наноканалом из оксида кремния. После вывода дополнительного краевого условия для электрического потенциала на общей границе транзистора и наноканала рассматриваются два вычислительных алгоритма поиска приближённых решений упомянутой задачи. Один из них разработан авторами и использует интерполяционные полиномы, сплайн-коллокации, а также метод матричной прогонки. Другой основан на хорошо известном методе продольно-поперечной прогонки (п.п.п.). При реализации этих алгоритмов получены графики стационарных решений рассматриваемой задачи. Другим важным итогом проделанной работы является сравнительный анализ работоспособности и эффективности двух предлагаемых вычислительных алгоритмов при различных значениях параметров. 

Abstracts file: Semisalov_short.doc
Full text file: Semisalov_extended.pdf


To reports list
© 1996-2019, Institute of computational technologies of SB RAS, Novosibirsk