Международная конференция
«Современные проблемы прикладной математики и механики: теория, эксперимент и практика», посвященная 90-летию со дня рождения академика Н.Н. Яненко
№ гос. регистрации 0321101160, ISBN 978-5-905569-01-2

Семисалов Б.В.  

Конструирование вычислительных алгоритмов в задаче о переносе заряда в 2D кремниевом транзисторе MOSFET с наноканалом из оксида кремния

Рассматривается задача о переносе заряда в 2D кремниевом транзисторе MOSFET с присоединённым к нему наноканалом из оксида кремния. После вывода дополнительного краевого условия для электрического потенциала на общей границе транзистора и наноканала рассматриваются два вычислительных алгоритма поиска приближённых решений упомянутой задачи. Один из них разработан авторами и использует интерполяционные полиномы, сплайн-коллокации, а также метод матричной прогонки. Другой основан на хорошо известном методе продольно-поперечной прогонки (п.п.п.). При реализации этих алгоритмов получены графики стационарных решений рассматриваемой задачи. Другим важным итогом проделанной работы является сравнительный анализ работоспособности и эффективности двух предлагаемых вычислительных алгоритмов при различных значениях параметров.