Список докладов
- Pavlov S.G.*, Abrosimov N.V.**, Deßmann N.***, Böttger U.*, Redlich B.****, van der Meer A.****, Zhukavin R.Kh.*****, Shastin V.N.*****, Irmscher K.**, Riemann H.**
Interplay of inversion-less and inversion-based terahertz stimulated intracenter emission in isotopically enriched silicon doped by bismuth
*Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (Берлин), Германия
**Leibniz Institute of Crystal Growth (Берлин), Германия
***Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Берлин), Германия
****FELIX Facility, Radboud University (Nijmegen), Голландия
*****Institute for Physics of Semiconductors (N.Novgorod), Россия - Yu Y.*, Семенова О.И.**
Strained Silicon in Electronics and Photonics
*Institute of Semiconductors CAS (Пекин), Китай
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Ёлкин К.С.*, Дошлов О.И.**, Зельберг Б.И.***, Яковлев С.П.****, Балакирев С.В.****, Кондратьев В.В.*****
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
*ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Красноярск), Россия
**Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
***ООО «Спецстройинвест» (Иркутск), Россия
****ООО «Карборундум Технолоджис» (Санкт-Петербург), Россия
*****НИУ Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Ёлкин К.С.*, Яковлев С.П.**, Ёлкин Д.К.***, Молявко А.А.***
ОБ ЭФФЕКТИВНЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ ПЕРЕДЕЛА ТЕХНИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
*ООО «РУСАЛ Инженерно-технологический центр» (Красноярск), Россия
**ООО «Карборундум Технолоджис» (Санкт-Петербург), Россия
***ЗАО «Кремний» (Шелехов), Россия - Абдурахманов Б.М.*, Ашуров Х.Б.**, Адилов М.М.*, Курбонов М.Ш.*
Применение технического кремния для создания тепловольтаических преобразователей
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан - Абдурахманов Б.М.*, Ашуров Х.Б.**, Адилов М.М.*, Кучканов Ш.К.***, Максимов С.Е.*, Оксенгендлер Б.Л.***
Роль резонансного туннелирования в усилении термоэлектрических свойств гранулированного кремния
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан
***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан - Абдурахманов Б.М.*, Ашуров Х.Б.**, Кучканов Ш.К.***, Максимов С.Е.*, Ниматов С.Ж.***
Тепловольтаические преобразователи энергии на основе кремниевых p-n структур, а также плёнок твёрдых растворов Si-Ge-Ti на кремнии
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан
***Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан - Абросимов Н.В.*
Моноизотопный монокристаллический кремний: получение и перспективы применения
*Leibniz Instutute for Crystal growth (Берлин), Германия - Аждаров Г.Х.*, Агамалиев З.А.*, Захрабекова З.М.*, Кязимова В.К.*
Сложнолегированные кристаллы Ge<Ga,Sb,Ni>
*Институт Физики НАН Азербайджана (Баку), Азербайджан - Акимов В.В.*, Пещерова С.М.**
Формы нахождения легирующих элементов в кремнии (анализ эффектов концентрирования микропримесей структурными дефектами)
*ИХГ СО РАН (Иркутск), Россия
**Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия - Алимов Н.Э.*, Абдурасулова С.О.**, Имомова С.М.**, Отажонов С.М.**, Якубова Ш.К.**
Фотоприёмник в широком диапазоне длин волн света на основе CdTe-SiO2-Si-Al с глубокими примесными уровнями
*Ферганский государственный университет (fergana), Узбекистан
**Ферганский государственный университет (fergana), Узбекистан - Арзуманян Г.В.*, Колпачёв А.Б.**
Энергетические состояния в запрещенной зоне кристаллического кремния, обусловленные атомами замещения титана и углерода
*Южный Федеральный Университет (Ростов на Дону), Россия
**Таганрогский технологический институт Южного Федерального университета (Ростов-На-Дону), Россия - Аскаров Ш.И.*, Шукурова Д.*
Высокочувствительные фотоприемники на базе кремния, содержащие наноразмерные многозарядные примесные кластеры марганца
*Ташкентский Государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан - Астров Ю.А.*, Шуман В.Б.*, Лодыгин А.Н.*, Порцель Л.М.*, Шастин В.Н.**, Павлов С.Г.***, Deßmann N.****, Abrosimov N.V.*****, Козлов В.А.******, Hübers H.W.***
Легирование кремния донорными центрами магния
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
***Institute of Planetary Research, German Aerospace Center; Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Берлин), Германия
****Institut für Optik und Atomäre Physik, Technische Universität Berlin (Берлин), Германия
*****Leibniz Institute of Crystal Growth (Берлин), Германия
******НПО ФИД-Техника (Санкт-Петербург), Россия - Атакулов Ш.Б.*, Абдуллаева Г.Б.*, Исроилова У.А.*, Атакулов Б.А.*
Полупроводниковые кремниевые диоды с отрицательным сопротивлением компенсированное золотой
*Ферганский государственный университет (fergana), Узбекистан - Байдакова Н.А.*, Новиков А.В.**, Шалеев М.В.***, Юрасов Д.В.***
Оптические свойства Ge(Si) наноостровков, заключенных между напряженными слоями Si, сформированных на подложках sSOI и релаксированных SiGe буферах
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Баранов Г.В.*, Итальянцев А.Г.**, Орлов О.М.***, Песков Ш.Г.****
Особенности радиационно-стимулированной диффузии As в структуре SiO2/Si
*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
**ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Москва), Россия
***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Россия
****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Москва), Россия - Баталина А.В.*, Метлов В.А.**, Романов А.А.**, Чумак В.Д.***
Практическое применение метода фото-ЭДС для оценки качества КНС-структур
*Зеленоград (Москва), Россия
**ОАО "Ангстрем" (Зеленоград), Россия
***ЗАО "Эпиэл" (Зеленоград), Россия - Баталов Р.И.*
Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства
*Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия - Безродный Д.*, Филимонов С.Н.*, Эрвье Ю.Ю.*
Переход от послойного к многоуровневому росту грани 3D-островка: компьютерное моделирование
*Томский государственный университет (Томск), Россия - Бердников В.С.*, Антонов П.В.*
Сопряженный конвективный теплообмен в методе Бриджмена в режимах равномерного и реверсивного вращения тигля
*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия - Бердников В.С.*, Винокуров В.А.*, Винокуров В.В.*, Марков В.А.*
Нестационарные режимы свободной и смешанной конвекции в методе Чохральского
*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия - Бердников В.С.*, Григорьева А.М.*, Митин К.А.*, Клещенок М.С.*
Поля температуры в кристаллах различной теплопроводности и размеров в методе Чохральского при теплоотдаче с их поверхности в режимах свободной конвекции
*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия - Бердников В.С.*, Клещенок М.С.**, Митин К.А.**
Влияние геометрии на поля температуры в кристаллах кремния в режимах радиационно-конвективной тплоотдачи
*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе (Новосибирск), Россия - Бердников В.С.*, Митин К.А.*
Исследования относительной роли механизмов теплоотдачи на поля температуры в кристаллах в методе Чохральского
*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия - Бердников В.С.*, Митин К.А.*, Митина А.*
Поле температуры в U-образном кремниевом стрежне, разогреваемом электрическим током, в режиме конвективной теплоотдачи
*Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия - Божко С.И.*
Электронный рост наноостровков Pb на поверхности Si(7 7 10)
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия - Божко С.И.*, Ионов А.М.*
Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия - Бондаренко А.С.*, Вывенко О.Ф.*, Конончук О.В.**
Люминесценция дислокационных сеток в сращенных пластинах кремния, стимулированная электрическим заполнением уровней ловушек носителей заряда
*НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
**SOITEC (Гренобль), Франция - Борисов В.К.*, Стребков Д.С.**
Солнечные кремниевые модули на базе матричных солнечных элементов
*Всероссийский институт электрификации сельского хозяйства (Москва), Россия
**ГНУ ВИЭСХ (Москва), Россия - Брылевский В.И.*, Грехов И.В.*, Брунков П.Н.*, Родин П.Б.**, Смирнова И.А.**
Влияние метода выращивания кремния и типа p-n перехода на характеристики лавинного переключения высоковольтных кремниевых диодов
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (Санкт-Петербург), Россия
**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Вдовин В.И.*, Федина Л.И.*, Гутаковский А.К.**, Шек Е.И.***, Соболев Н.А.****
Дефектообразование в пластинах Si, подвергнутых облучению низкоэнергетическим электронным пучком
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Велиханов А.Р.*
Пластичность монокристаллов кремния в условиях совместного воздействия теплового поля и электрического тока
*ФГБУН Институт физики ДагНЦ РАН им. Амирханова (Махачкала), Россия - Верезуб Н.А.*, Волошин А.Э.**, Простомолотов А.И.***
Анализ применимости аналитических моделей для расчета эффективного коэффициента распределения примеси
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия
** Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии им. А.В. Щубникова Российской академии наук (Москва), Россия
***Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия - Верезуб Н.А.*, Простомолотов А.И.**
Способ снижения напряжений в большегрузных монокристаллах кремния при выращивании методом Чохральского
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия
**Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук (Москва), Россия - Викулов В.А.*, Коробцов В.В.*, Балашев В.В.*, Писаренко Т.А.*, Димитриев А.А.*
Особенности электрического транспорта в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/Si с разным типом проводимости подложки
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Владимиров В.М.*, Марков В.В.**, Шепов В.Н.*
«Рометр» и «Тауметр-2М» - автоматизированные измерители удельного сопротивления и времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
*Научно-производственная фирма "Электрон" (Красноярск), Россия
**Красноярский научный центр СО РАН (Красноярск), Россия - Галкин К.Н.*, Галкин Н.Г.*, Ховайло В.В.**, Усенко А.**, Воронин А.**
Формирование и свойства объемных кремниевых структур с внедренными кристаллитами дисилицидов Fe и Cr
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**НИТУ "МИСиС" - Галкин К.Н.*, Чернев И.М.*, Шевлягин А.В.*, Галкин Н.Г.*
Формирование, оптические и электрические свойства полупроводниковых пленок станнида магния на Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Галкин Н.Г.*, Безбабный Д.А.*, Чернев И.М.*, Nemes-Incze P.**, Dosza L.**, Pecz B.**, Гутаковский А.К.***, Kudrawiec R.****
Структура и свойства полупроводниковых пленок силицидов кальция и двойных гетероструктур на их основе на Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Венгрия
***Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
****Institute of Physics of Wroclaw Technological University (Wroclaw), Польша - Галкин Н.Г.*, Чернев И.М.*, Шевлягин А.В.*, Гутаковский А.К.**
Пленки MnSi1.75-x на Si(111) и двойные гетероструктуры Si/ MnSi1.75-x /Si(111): формирование, структура и свойства
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия - Герасименко Н.Н.*, Смирнов Д.И.**, Запорожан О.***
Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах
*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
***Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Москва), Россия - Гисматулин А.А.*, Камаев Г.Н.*
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO2, полученных методом прямого сращивания
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Голубовская Н.О.*, Шиманский А.Ф.*
Исследование поведения кислорода в кристаллах германия при отжиге
*Сибирский федеральный университет (Красноярск), Россия - Гоник М.А.*
Направленная кристаллизация мультикристаллического кремния в условиях пониженного газообмена
*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Россия - Гоник М.А.*, Кролль А.**, Вагнер А.***
Распределение Ge в слитке сплава Si0.9Ge0.1при выращивании из тонкого слоя расплава
*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Россия
**Institute for Geosciences of University of Freiburg (Фрайбург), Германия
***Institute for Inorganic and Analytical Chemistry (Фрайбург), Германия - Горошко Д.Л.*, Галкин К.Н.*, Dosza L.**, Галкин Н.Г.*
Формирование и термоэлектрические свойства кремниевых нанокомпозитов на основе дисилицида хрома и магния
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Institute of of Material Science and Technical Physics HAS (Budapest), Венгрия - Гостева Е.А.*, Герасименко Н.Н.**
Исследование антиотражающих характеристик наноструктурированных тонких пористых пленок для использования в солнечных элементах в качестве антибликового покрытия
*НИТУ "МИСиС"
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия - Грачев Д.А.*, Карабанова И.А.*, Ершов А.В.*, Пирогов А.В.*, Павлов Д.А.*
Нанокристаллы Si и Ge в широкозонных диэлектрических матрицах, полученных высокотемпературным отжигом многослойных нанопериодических структур
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия - Гуральник А.С.*, Ваванова С.В.*, Доценко С.А.*, Галкин Н.Г.*, Лин К.**
Формирование, морфология и магнитные свойства структуры Fe3Si/ε-FeSi/Fe3Si/Si(111)
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Национальный университет Чунг Шинг (Taichung), Тайвань - Гурьянов А.М.*
Генерационные процессы в кремниевых МДП-структурах с наноразмерными диэлектрическими слоями оксидов редкоземельных элементов
*Самарский государственный архитектурно-строительный университет (Самара), Россия - Гусев О.Б.*, Андреев Б.А.**, Ершов А.В.***, Грачев Д.А.***, Яблонский А.****
Экспериментальное наблюдение фотолюминесценции автолокализованных экситонов на поверхностных Si-Si димерах нанокристаллов Si в матрице SiO2
*ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
***Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
****Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Демидов Ю.А.*, Чаплыгин Ю.А.*, Шевяков В.И.**, Белов А.Н.**, Голишников А.А.***
Особенности нанопрофилирования кремния плазменным травлением через твердую маску пористого оксида алюминия
*МИЭТ (Москва), Россия
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва), Россия
***Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Москва), Россия - Демин В.Н.*, Ващенко Сергей Петрович С.П.**
применение электродуговых плазмотронов в новых технологиях получения поликремния
*Институт неорганической химии СО РАН,Новосибирск (Новосибирск), Россия
**Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск (Новосибирск), Россия - Денисов С.А.*, Гавва В.А.**, Гусев А.В.**, Дроздов М.Н.***, Ежевский А.А.*, Деточенко А.П.*, Шенгуров В.Г.*
Рост эпитаксиальных слоев моноизотопного кремния методом сублимационной моле-кулярно-лучевой эпитаксии
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
**Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Нижний Новгород), Россия
***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Денисов С.А.*, Матвеев С.А.*, Чалков В.Ю.*, Филатов Д.О.*, Машин А.И.*, Круглов А.В.*, Трушин В.Н.*, Гусейнов Д.В.*, Шенгуров В.Г.*, Иванова М.М.**
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
**ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия - Димитриев А.А.*, Балашев В.В.*, Писаренко Т.А.*, Викулов В.А.*, Коробцов В.В.*
Эффект низкотемпературного переключения канала проводимости в гибридных структурах Fe3O4/SiO2/n-Si
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Дмитриевский А.А.*, Ефремова Н.Ю.*, Гусева Д.Г.*, Дружкин А.В.*, Мартус А.С.*
Микро- и нанотвердость пористых слоев кремния
*Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина (Тамбов), Россия - Евдокимов И.И.*, Пименов В.Г.*
Анализ высокочистого кремния атомно-эмиссионным и атомно-абсорбционным методами с концентрированием примесей отгонкой матрицы при фторировании пробы в автоклаве
*ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Нижний Новгород), Россия - Ежевский А.А.*, Гусейнов Д.В.*, Сухоруков А.В.*, Попков С.А.*, Конаков А.А.*, Абросимов Н.В.**, Riemann H.***
Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния и спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
**Leibniz Instutute for Crystal growth (Берлин), Германия
***Leibniz Institute of Crystal Growth (Берлин), Германия - Елисеев И.А.*, Непомнящих А.И.**
Рафинирование металлургического кремния увлажнённым паром в условиях заводского эксперимента
*Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
**Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия - Еремеев В.С.*, Кирилин А.А.*, Шевченко М.А.*, Шувалов С.П.*, Струмеляк А.В.*, Булатов Ю.Н.*, Шакиров В.А.*
Разработка технических решений для повышения эффективности гелиоэлектростанций
*Братский государственный университет (Братск), Россия - Ермакова Е.Н.*, Румянцев Ю.М.*, Косинова М.Л.*
Оптические и механические свойства пленок SiCxNy, осажденных из триметилфенилсилана
*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия - Жураев Ж.У.*, Кадыров А.Л.*
Электрофизические свойства вторичного литого поликристаллического кремния
*Худжандский государственный университет имени академика Б. Гафурова (Худжанд), Таджикистан - Закиров Р.А.*, Парфенов О.Г.*
Восстановление тетрахлорида кремния субхлоридом алюминия
*Институт химии и химической технологии СО РАН (Красноярск), Россия - Зюльков И.Ю.*, Гикавый А.Я.**
Эпитаксиальный рост напряженного SiGe в атмосфере дисилана и дигермана
*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
**Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) (Лёвен), Бельгия - Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Лебедева Ю.С.*, Юрасов Д.В.**
Проблемы обеспечения радиационной стойкости оптопар на кремнии
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Иванова М.М.*, Киселев В.К.*, Качемцев А.Н.*, Филатов Д.О.**, Гусейнов Д.В.**, Шенгуров В.Г.**, Юрасов Д.В.***
Исследование радиационной стойкости pin-фотодетекторов на базе соединений SiGe
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Илиев Х.М.*, Абдурахманов Б.А.*, Саитов Э.Б.*, Мавлонов Г.Х.*, Мавлянов А.Ш.*, Содиков У.Х.**
Физические основы формирования нанокластеров примесных атомов в полупроводниках
*Ташкентский государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан
**Ташкентский государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан - Исамов С.Б.*, Аюпов К.С.*, Зикриллаев Н.*, Камалов Х.У.*, Валиев С.А.*, Сапарниязова З.М.*
Время жизни дырок в кремнии с многозарядными кластерами атомов марганца
*Ташкентский государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан - Камаев Г.Н.*, Володин В.А.*, Гисматулин А.А.*, Ефанов В.С.*, Черкова С.Г.*
Оптические свойства многослойных наногетероструктур Si\SiO2
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Карасев П.А.*, Титов А.И.*, Карабешкин К.В.*
Влияние плотности каскадов смещений на эффективность генерации первичных нарушений в кремнии
*Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет (Санкт-Петербург), Россия - Карпенко А.В.*
Углеродные материалы для использования в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского
*Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Украина - Касмамытов Н.К.*, Макаров В.П.**, Ласанху К.А.*, Асанов Б.У.*
Наноструктурированные материалы, полученные на основе отходов производства монокремния
*Институт физико-технических проблем и материаловедения (Бишкек), Кыргызстан
**Кыргызско-Российский Славянский университетй (Бишкек), Кыргызстан - Кведер В.В.*, Хорошева М.А.*
О природе дефектов, возникающих в процессе движения дислокаций в кремнии
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия - Ким В.А.*, Требухова Т.А.*, Кударинов С.Х.*, Тусупова А.У.*
Рисовая шелуха - исходное кремнеуглеродное сырье для получения технического кремния
*Химико-металлургический институт им. Ж. Абишева (Karaganda), Казахстан - Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*, Блошкин А.А.*, Якимов А.И.*
Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовыхямах SiGe
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Козлов А.*
Исследование дифференциального выходного сигнала планарного магнитотранзистора методами приборно-технологического моделирования
*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия - Колесников А.В.*, Труханов Е.М.*, Лошкарев И.Д.*, Ильин А.С.*
Формирование малоугловых границ в гетеросистемах GeSi/Si и GaAs/Si с вицинальными (001) границами раздела
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Конаков А.А.*, Беляков В.А.*, Курова Н.В.*, Сидоренко К.В.*, Бурдов В.А.*
Спиновая релаксация электронов проводимости в кремниевых нанокристаллах и их ансамблях
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия - Косинова М.Л.*
Новые прекурсоры и процессы MO CVD в технологии наноматериалов. Научная школа академика Ф.А. Кузнецова.
*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия - Косинова М.Л.*, Ермакова Е.Н.*, Семенова О.И.**
Оптические покрытия на основе фаз системы Si-N-C-H
*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Котерева Т.В.*, Гавва В.А.*, Гусев А.В.*
Диагностика примесного состава высокочистого моносилана по результатам анализа контрольного монокристалла кремния.
*Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН (Нижний Новгород), Россия - Коханенко А.П.*, Войцеховский А.В.*, Лозовой К.А.*
Зависимости параметров квантовых точек Ge на Si от соотношения сторон их оснований
*Томский государственный университет (Томск), Россия - Коюда Д.А.*, Турищев С.Ю.**, Терехов В.А.***, Спирин Д.Е.*, Паринова Е.В.****, Нестеров Д.Н.*, Карабанова И.А.*****, Ершов А.В.*****, Машин А.И.*****, Домашевская Э.П.******
Характеризация синхротронным методом XANES светоизлучающих многослойных нанопериодических структур, содержащих нанокристаллы Si
*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
**ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
***ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
*****Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
******Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия - Ксеневич В.К.*, Адамчук Д.В.*, Горбачук Н.И.*, Поклонский Н.А.*, Вик А.**
Импеданс поликристаллических пленок диоксида олова, напыленных на Si3N4/Si-подложку
*Белорусский государственный университет
**Рурский университет (Бохум), Германия - Кудрявцев К.Е.*, Крыжков Д.И.**, Красильникова Л.В.**, Шенгуров Д.В.**, Шмагин В.Б.**, Андреев Б.А.**, Красильник З.Ф.**
Оценка сечения усиления ионов Er3+ в волноводных структурах Si:Er/SOI
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Кулубаева Э.Г.*, Наумова О.В.*, Фомин Б.И.*, Попов В.П.*
Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Курбонов М.Ш.*, Ашуров Х.Б.**, Абдурахманов Б.М.*
Особенности технологии получения технического кремния с учетом сырьевой базы Республики Узбекистан
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
**Институт ионно- плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбе (Ташкент), Узбекистан - Кутузов Л.В.*
Структура и термическая стабильность металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов
*Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт" - Кучинская П.*, Зиновьев В.*, Двуреченский А.В.*, Векшенкова Т.**, Рудин С.*
Влияние распределения полей упругих деформаций на пространственную организацию SiGe квантовых точек
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Новосибирский государственный технический университет (Новосибирcк), Россия - Ларюшкин А.С.*, Филатов М.Ю.*, Антонов В.А.*
Разработка серии кремниевых ультрастабильных прецизионных стабилитронов с повышенной временной и температурной стабильностью
*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия - Латухина Н.В.*, Чепурнов В.И.*, Давыдов Д.М.**, Тимошенко В.Ю.***, Жигунов Д.М.***
Структура и состав карбидизированных слоев пористого кремния
*Самарский государственный университет (Самара), Россия
**Самарский государственный технический университет (Самара), Россия
***Московский государственный университет (Москва), Россия - Левицкий В.С.*, Леньшин А.С.**
Особенности рамановских спектров и фотолюминесценции различных видов пористого кремния для применения в энергосберегающих технологиях
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
**ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия - Леньшин А.С.*, Кашкаров В.М.**, Анисимов А.В.*, Домашевская Э.П.**, Бельтюков А.Н.***, Гильмутдинов Ф.З.***
Исследование состава поверхности пористого кремния методами рентгеновской фотоэлектронной и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии.
*ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
***Физико-технический институт УрО РАН (Ижевск), Россия - Леньшин А.С.*, Кашкаров В.М.**, Середин П.В.**, Налимова С.С.***, Мошников В.А.****, Мякин С.В.*****
Исследование влияния обработки пористого кремния полиакриловой кислотой на его состав поверхности и фотолюминесценцию
*ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
***Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (Санкт-Петербург), Россия
****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина) "ЛЭТИ" (Санкт-Петербург), Россия
*****Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ (Санкт-Петербург), Россия - Леонова М.С.*
Обработка результатов испытаний по окомкованию шихты методом планирования эксперимента
*НИ ИрГТУ (Иркутск), Россия - Литвиненко Т.Н.*
Использование импульсного воздействия высокоинтенсивного потока энергии для дробления кристаллического кремния
*Запорожская государственная инженерная академия (Запорожье), Украина - Лошаченко А.С.*, Данилов Д.В.*, Шек Е.И.**, Вывенко О.Ф.***, Соболев Н.А.****
Электрически активные центры в кремнии n-типа, имплантированном ионами кислорода.
*Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
**Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
***НИИ физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
****Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Лысяк Е.А.*
SiTec - передовой опыт в технологии производства кремния
*SiTec GmbH (Burghausen), Германия - Магомедов М.Н.*
Зависимость решеточных свойств от размера и формы нанокристалла кремния
*Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра Российской академии наук (Махачкала), Россия - Маляренко Н.Ф.*, Наумова О.В.*, Фомин Б.И.*, Попов В.П.*
Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Матюшкин И.В.*, Коробов С.В.*, Михайлов А.Н.**, Тетельбаум Д.И.**
Клеточно-автоматное моделирование процессов вторичного дефектообразования при ионной имплантации
*ОАО "НИИ молекулярной электроники" (Москва), Россия
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия - Махвиладзе Т.М.*, Минушев А.*, Сарычев М.Е.**
СМР -процесс для медной металлизации в кремниевой нанотранзисторной электронике
*Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
**Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия - Махвиладзе Т.М.*, Сарычев М.Е.**
Деформационно-кинетическая модель процесса коалесценции кислородных преципитатов в кремнии
*Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
**Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия - Махвиладзе Т.М.*, Сарычев М.Е.**
Влияние точечных дефектов на скорость коалесценции кислородсодержащих преципитатов в кремнии
*Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия
**Физико-технологический институт РАН (Москва), Россия - Меженный М.В.*, Падалица А.А.**, Мармалюк А.А.**, Акчурин Р.Х.***, Абдуллаев О.Р.****, Роговский Е.С.*, Курешов В.А.*****, Сабитов Д.Р.*****, Мазалов А.В.*****
Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ pin диодов
*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
**ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия
***Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
****ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
*****ОАО "НИИ "Полюс" (Москва), Россия - Меженный М.В.*, Филатов М.Ю.**, Роговский Е.С.*, Кобелева С.П.***, Щемеров И.В.***, Соловьева Ю.С.***
Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния p-типа для изготовления pin-диодов
*ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
**ОАО "Оптрон" (Москва), Россия
***НИТУ "МИСиС" - Миловзоров Д.Е.*
Влияние фторидов кремния на фотолюминесценцию пленок нанокристаллического кремния (111)
*РГРУ (Москва), Россия - Мирбабаев М.М.*, Аскаров Ш.И.*
Влияние наномолекул селена на эффективность переобразования солнечной энергии в кремниевых элементах с p-n переходом
*Ташкентский Государственный технический университет (Ташкент), Узбекистан - Митин Д.*, Сердобинцев А.*
Управление скоростью роста пленок аморфного кремния при синтезе методом магнетронного распыления
*Саратовский государственный университет им.Н.Г.Чернышевского (Саратов), Россия - Нагорных С.Н.*, Павленков В.И.**, Михайлов А.Н.**, Белов А.И.**, Королев Д.С.**, Бобров А.И.**, Павлов Д.А.**, Тетельбаум Д.И.**, Шек Е.И.***
Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+
*Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Нижний Новгород), Россия
**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
***Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия - Найда Г.А.*, Прокофьева В.К.*
Влияние дефектов структуры кремниевой подложки на формирование эпитаксиального слоя AlN
*Национальгный исследовательский университет"МИЭТ" (Москва), Россия - Наумов А.В.*, Аношин К.Е.**
Выращивание низкодислокационных кристаллов Ge методом Чохральского
*ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Москва), Россия
**ОАО Гиредмет (Москва), Россия - Нежданов А.В.*, Машин А.И.*, Ершов А.В.*, Чевелева Е.А.*
Оптические свойства систем SiOx:SiO2 на поверхности ВОПГ
*Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия - Некрасов А.В.*, Наумов А.В.**
Рынок поликремния в период до 2018 г.
*ОАО НПП КВАНТ (Москва), Россия
**ОАО Научно-Производственное Предприятие КВАНТ (Москва), Россия - Немчинова Н.В.*
формирование интерметаллидов при кристаллизации кремниевого расплава
*Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Непомнящих А.И.*, Пресняков Р.В.*, Антонов П.В.**, Бердников В.С.**
Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты
*Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия
**Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск), Россия - Нехамин С.М.*
Металлургические методы и оборудование для получения и очистки кремния
*ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Москва), Россия - Никифоров А.И.*, Тимофеев В.А.*, Тийс С.А.*, Пчеляков О.П.*
Структура поверхности тонких псевдоморфных GeSi слоев
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Никулина Л.Д.*, Сысоев С.В.*, Цырендоржиева И.П.**, Гостевский Б.А.**, Рахлин В.И.**, Косинова М.Л.*, Кузнецов Ф.А.*
Влияние структурных особенностей кремний- и борорганических соединений на физико-химические свойства прекурсоров для синтеза пленок SiCxNy и SiBxCyNz
*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия
**Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН (Иркутск), Россия - Новиков В.А.*
Влияние параметров сканирования на величину шероховатости в сканирующей зондовой микроскопии
*Томский государственный университет (Томск), Россия - Нусупов К.Х.*, Бейсенханов Н.Б.*, Жариков С.К.*, Бейсембетов И.К.*, Кенжалиев Б.К.*, Ахметов Т.К.*, Сейтов Б.Ж.*
Формирование тонких пленок SiC на подложках Si методом ионно-лучевого распыления
*Казахстанско-Британский технический университет (Алматы), Казахстан - Нусупов К.Х.*, Бейсенханов Н.Б.*, Жариков С.К.*, Бейсембетов И.К.*, Кенжалиев Б.К.*, Бакранова Д.И.*, Бакранов Н.Б.*
Формирование нанопленок алюминия и оксида алюминия методом магнетронного распыления
*Казахстанско-Британский технический университет (Алматы), Казахстан - Олимов Л.О.*, Курбонов М.Ш.**, Абдурахманов Б.М.**
Эффект переключения направления тока и напряжения при нагреве поликристаллических кремниевых структур, легированных глубокими примесями
*Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан
**Институт ионно-плазменных и лазерных технологий Академии Наук Республики Узбекистан (Ташкент), Узбекистан - Орлов В.И.*, Феклисова О.В.**, Якимов Е.Б.***
Влияние меди на рекомбинационную активность протяжённых дефектов в кремнии
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
**Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка), Россия - Орлов В.И.*, Феклисова О.В.**, Якимов Е.Б.***
Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном крем-нии методами EBIC и LBIC
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
**Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
***Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка), Россия - Орлов О.М.*
исследование конструктивно-технологических особенностей элементов встроенной энергонезависимой памяти, основанной на хранении заряда
*НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Россия - Орлов С.Н.*, Тимошенков С.П.**, Виноградов А.И.**, Хомяков И.А.***, Пушкина А.А.***
Разработка энергонезависимого МЭМС-коммутатора
*ОАО "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), Россия
**National Research University of Electronic Technology / MIET (Москва), Россия
***Molecular Electronics Research Institute JSC (Mocsow), Россия - Павловская Н.Т.*, Литовченко П.Г.*, Павловский Ю.В.**, Угрин Ю.О.**
Магнетосопротивление облученных нейтронами нитевидных кристаллов Si0,97Ge0,03
*Институт ядерных исследований НАН Украины (Киeв), Украина
**Дрогобычский государственный педагогический университет (Дрогобыч), Украина - Павлык Б.В.*, Грыпа А.С.*
Влияние рентгеновского излучения на парметры сенсоров температуры на основе кремниевых транзисторных p-n-переходов
*Львовский национальный университет имени Ивана Франко (Львов), Украина - Памирский И.Э.*
Фитолиты как источник микроразмерного кремнезема для микроэлектроники
*Институт геологии и природопользования ДВО РАН (Благовещенск), Россия - Паращенко М.А.*, Филиппов Н.С.*, Кириенко В.В.*, Романов С.И.*
Электроосмотический насос на основе ассиметричной кремниевой микроканальной мембраны
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Парфеньева А.В.*, Румянцев А.М.*, Ли Г.В.**, Астрова Е.В.*
Кремниевые высокоаспектные микроструктуры для анодов литий - ионных аккумуляторов
*ФТИ им. Иоффе (С.Петербург), Россия
**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Пименов В.Г.*
Методы элементного анализа высокочистого кремния и его прекурсоров
*ФГБУН Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук (Нижний Новгород), Россия - Плюснин Н.И.*
Металлические наномультислои на кремнии: рост, свойства и применение
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Плюснин Н.И.*
Формирование и электронно-спектроскопический контроль атомно-тонких пленок
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Поклонский Н.А.*, Горбачук Н.И.*, Шпаковский С.В.*, Мельников А.**, Вик А.***
Комбинационное рассеяние света в кремнии p-типа, облученном ионами марганца с энергией 100 keV
*Белорусский государственный университет
**Университет Торонто (Toronto), Канада
***Рурский университет (Бохум), Германия - Поклонский Н.А.*, Ластовский С.Б.**, Престинг Х.***, Соболев Н.А.****, Сягло А.И.*
Влияние облучения электронами на p-n переходы в сверхрешетках Si-Ge
*Белорусский государственный университет
**Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению (Минск), Беларусь
***Daimler Research & Development Ulm (Ульм), Германия
****Universidade de Aveiro (Aveiro), Португалия - Поликарпов М.А.*, Якимов Е.Б.**
Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаического элемента
*Национальный Исследовательский Центр "Курчатовский институт"
**Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Черноголовка), Россия - Потапов А.А.*
Природа и механизм проводимости полупроводников
*пенсионер (Иркутск), Россия - Потапов А.А.*
Физические процессы в полупроводниковых приборах
*пенсионер (Иркутск), Россия - Путря М.Г.*, Панкратов О.В.*, Голишников А.А.**, Рыбачек Е.Н.**
Метод формирования кремниевых нанопроволочных ионно-чувствительных транзисторных структур
*Национальный исследовательский университет МИЭТ (Москва), Россия
**Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ (Москва), Россия - Пушкарев Р.*, Файнер Н.*, Румянцев Ю.*, Максимовский Е.*
Получение слоев Fe-Si-C-N с помощью термического разложения паров кремнийорганических соединений и ферроцена
*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия - Пчеляков О.П.*
Молекулярная эпитаксия гетероструктур GaAs на Si для фотовольтаики
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Рогожина Г.А.*, Рогожин А.С.*, Латухина Н.В.*, Лизункова Д.А.*
Фотоэлектрические свойства структур на базе пористого кремния
*Самарский государственный университет (Самара), Россия - Румянцев Ю.*, Плеханов А.*, Файнер Н.*, Максимовский е.*, Шаяпов В.*, Юшина И.*
Пленки гидрогенизированного оксикарбонитрида кремния – перспективные материалы для опто – и наноэлектроники
*Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирcк), Россия - Рысбаев А.С.*, Хужаниёзов Ж.Б.**, Рахимов А.М.*, Файзуллаев Р.Ф.*, Бекпулатов И.Р.*
Особенности спектров характеристических потерь энергии электронов в ионно имплантированных слоях кремния
*Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан
**Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан - Рысбаев А.С.*, Хужаниёзов Ж.Б.**, Рахимов А.М.*, Файзуллаев Р.Ф.*, Бекпулатов И.Р.*, Рысбаева З.А.*
Формирование тонких наноразмерных плёнок силицидов на поверхности монокристалла Si
*Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан
**Ташкентский Государственный Технический Университет (Ташкент), Узбекистан - Семенова О.И.*, Козельская А.И.**, Спесивцев Е.В.***
Механические напряжения в плазмохимическом SiNx:H
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Россия
***Объединенный институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Россия - Сивков В.Н.*, Ломов А.А.**, Некипелов С.В.***, Сивков Д.В.*, Петрова О.В.****
NEXAFS и XPS исследования пористого кремния
*Коми научный центр Уральского отделения РАН (Сыктывкар), Россия
**Физико-технический институт РАН (Москва), Россия
***Сыктывкарский госуниверситет (Сыктывкар), Россия
**** Коми научный центр УрО РАН (Сыктывкар), Россия - Скупов А.В.*
Моделирование накопления радиационных дефектов в приборных структурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами
*ФГУП "ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова" (Нижний Новгород), Россия - Смагина Ж.В.*, Двуреченский А.В.*, Зиновьева А.Ф.*, Степина Н.П.*, Новиков П.Л.*, Кучинская П.*
Линейные цепочки квантовых точек, полученные с помощью ионного облучения
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Смирнов Д.И.*, Герасименко Н.Н.**, Чамов А.А.***, Заблоцкий А.В.****
Исследование размерных эффектов в механических и пластических свойствах наноструктур
*Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
**Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (Москва, Зеленоград), Россия
***ОАО "НИИМЭ и завод "Микрон" (Москва, Зеленоград), Россия
****Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет) (Долгопрудный), Россия - Смирнов Р.В.*, Бибиков М.Б.*, Московский А.С.*
Получение кремния методом плазменного восстановления из монооксида
*НИЦ Курчатовский институт (Москва), Россия - Смирнова Т.П.*, Яковкина Л.В.*, Борисов В.О.*, Кичай В.Н.*
Оксиды редких и редкоземельных металлов-новые материалы наноэлектроники и оптоэлектроники
*Институт неорганической химии СО РАН (Новосибирск), Россия - Соболев Н.А.*
Кремниевые светодиоды для кремниевой оптоэлектроники
*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Соколов Л.В.*, Болховитянов Ю.Б.*, Дерябин А.С.*, Гутаковский А.К.**
Краевые дислокации несоответствия в эпитаксиальных напряженных пленках полупроводников с решеткой сфалерита и алмаза: образование и участие в пластической релаксации
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия - Соловьева Ю.С.*, Щемеров И.В.*, Анфимов И.М.*, Кобелева С.П.*
О применимости СВЧ метода для определения времени жизни неравновесных носителей заряда на непассивированных образцах монокристаллического кремния
*НИТУ "МИСиС" - Сорокин Л.М.*, Аргунова Т.С.*, Абросимов Н.В.**
Микроструктура кристаллов SiGe большого диаметра
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
**Leibniz Instutute for Crystal growth (Берлин), Германия - Сорокин Л.М.*, Калмыков А.Е.*, Мясоедов А.В.*, Бессолов В.Н.*, Кукушкин С.А.**
Кремний - перспективный материал III-нитридной электроники
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
**Институт проблем машиноведения РАН (Санкт-Петербург), Россия - Степанов А.Л.*
Синтез пористого кремния с наночастицами серебра методом низкоэнергетической ионной имплантации
*Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия - Суворов Э.В.*, Смирнова И.А.*
Искажения рентген топографических изображений дислокаций в результате воздействия пространственно протяженных деформаций в монокристаллах кремния.
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия - Суздальцев Е.И.*
Аморфный диоксид кремния. Способы получения и области применения
*ОАО "ОНПП "Технология" (Обнинск), Россия - Терехов В.А.*, Лазарук С.К.**, Турищев С.Ю.***, Занин И.Е.****, Усольцева Д.С.****, Анисимов А.В.*****, Степанова А.А.****
Особенности атомной и электронной структуры нанокомпозитов Al-Si
*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
***ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
*****ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия - Терехов В.А.*, Паринова Е.В.**, Ундалов Ю.К.***, Трапезникова И.Н.***, Теруков Е.И.***
Определение степени окисления кремния и содержания кластеров кремния в пленках SiOx методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии
*ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
**ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
***Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Терещенко А.Н.*, Штейнман Э.А.*, Мазилкин А.А.*, Хорошева М.А.*, Конончук О.В.**
Структура и электронные свойства дефектов на границе соединенных пластин Si (001)
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
**SOITEC (Гренобль), Франция - Тимофеев А.К.*, Немчинова Н.В.*
Новый подход к изучению процесса выплавки кремния
*Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Турищев С.Ю.*, Терехов В.А.**, Анисимов А.В.***, Чувенкова О.А.***, Юраков Ю.А.***, Спирин Д.Е.****, Паринова Е.В.*****, Коюда Д.А.****, Тонких А.******
Атомное и электронное строение эпитаксиальных нанослоев кремний-олово на кремнии по данным синхротронных исследований
*ФГБОУ ВПО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
**ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
***ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
*****ФГБОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
******Martin Luther University Halle-Wittenberg (Галле ), Германия - Тыныштыкбаев К.Б.*
Высокоэффективные пористые кремниевые фотоэлектроды
*Физико-технический институт (Алматы), Казахстан - Тюрин А.И.*, Шуварин И.А.*, Пирожкова Т.С.*
Условия вязко-хрупкого разрушения кремния и германия при микро- и наноидентировании
*НОЦ «Нанотехнологии и наноматериалы» ТГУ имени Г.Р.Державина (Тамбов), Россия - Тютрин А.А.*
Кислотно-ультразвуковое рафинирование кремния при карботермической технологии
*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Федоров А.М.*, Непомнящих А.И.**
Минеральные ресурсы кварца России для получения кремния.
*Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
**Институт геохимии СО РАН (Иркутск), Россия - Федоров С.Н.*, Бельский С.С.*
Анализ физико-химических моделей получения кремния в руднотермических печах
*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Федоров С.Н.*, Немчинова Н.В.**
Структура программы для расчета материального баланса выплавки кремния в руднотермических печах
*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия
**Национальный исследовательский Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Федотов А.К.*, Прищепа С.**, Редько С.**, Долгий А.**, Федотова В.***, Свито И.*
Электрические свойства наноструктур пористый кремний/кремний и пористый кремний/никель/кремний
*Белорусский государственный университет
**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
***Научно-практический центр НАНБ по материаловедению (Минск), Беларусь - Федотов А.К.*, Трафименко А.Г.**, Данилюк А.***, Прищепа С.***
Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление легированного сурьмой кремния
*Белорусский государственный университет
**Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь
***Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (Минск), Беларусь - Федотов А.К.*, Турищев С.**, Паринова Е.**, Федотова Ю.***, Стрельцов Е.*, Иванов Д.*, Мазаник А.*
Электронный транспорт в наноструктурах Si/SiO2/Ni и Ni/Si, полученных методом электрохимического осаждения
*Белорусский государственный университет
**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
***Центр физики частиц и высоких энергий БГУ (Минск), Беларусь - Филимонов С.Н.*, Эрвье Ю.Ю.*
Динамика элементарных ступеней на боковых гранях нитевидных нанокристаллов
*Томский государственный университет (Томск), Россия - Филимонов С.Н.*, Эрвье Ю.Ю.*, Sambonsuge S.**, Suemitsu M.**
Анизотропия поверхностной энергии кубического карбида кремния и механизмы формирования пленок 3C-SiC/Si(110)
*Томский государственный университет (Томск), Россия
**Tohoku University (Sendai), Япония - Фрицлер К.Б.*, Труханов Е.М.*, Калинин В.В.*
Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Фомин Б.И.*, Калинин В.В.*, Пчеляков О.П.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Чусовитин Е.А.*, Боженко М.В.*, Галкин К.Н.*, Расин А.Б.*, Галкин Н.Г.*, Ян Д.Т.**, Асташинский В.М.***, Кузьмицкий А.М.***
Фотолюминесцентные свойства пористого кремния, сформированного на обработанных плазмой кремниевых подложках
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Дальневосточный государственный университет путей сообщения (Хабаровск), Россия
***Институт тепло- и массообмена им. А.В.Лыкова НАН Беларуси (Минск), Беларусь - Чусовитин Е.А.*, Шевлягин А.В.*, Горошко Д.Л.*, Галкин Н.Г.*, Гутаковский А.К.**
Эффект всплытия нанокристаллитов b-FeSi2 в процессе их закрытия покрывающим слоем кремния: экспериментальные факты и модель
*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
**Институт физики полуроводников СО РАН (Новосибирск), Россия - Шагаров Б.А.*, Краснобаев Ю.В.**
Алгоритм работы солнечной батареи в точке оптимальной мощности
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
**Сибирский федеральный университет (Красноярск), Россия - Шагаров Б.А.*, Логинов Ю.Ю.**
Инновационные технологии солнечной энергетики
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
**Сибирский аэрокосмический университет (Красноярск), Россия - Шагаров Б.А.*, Шелепов В.А.**
Эксперсс диагностика кремниевых солнечных батарей
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
**Сибирский аэрокосмический университет (Красноярск), Россия - Шагаров Б.А.*, Шелепов В.А.**
Экспресс контроль ФЭП для космоса
*Общество с ограниченной отвественностью "ГЕЛИОЛАБ" (Красноярск), Россия
**Сибирский аэрокосмический университет (Красноярск), Россия - Шамирзаев Т.С.*, Галкин Н.Г.**, Шевлягин А.В.**, Саранин А.А.**, Латышев А.В.*
Светодиодные 1,5 мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК β-FeSi2/n-Si
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия - Шарафеева И.*, Тютрин А.А.*
Исследование процесса образования примесных включений при кристаллизации кремниевого расплава
*Иркутский государственный технический университет (Иркутск), Россия - Шварцман Л.Я.*
Некоторые аспекты современной технологии полупроводникового кремния
*Activ Solar Gmbh, Vienna, Austria (Запорожье), Украина - Штейнман Э.А.*, Орлов Л.К.**
Особенности структуры и электронные свойства гетерокомпозиций 3C–SiC/SiGeC/Si(100)
*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Шуман В.Б.*, Лодыгин А.Н.*, Порцель Л.М.*
Взаимодействие неравновесных междоузельных атомов кремния с примесью серы при высоких температурах
*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия - Юрасов Д.В.*, Дроздов М.Н.*, Шалеев М.В.*, Юнин П.А.*
Формирование SiGe гетероструктур с высокой долей Ge и их селективное легирование сегрегирующими примесями
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Юрасов Д.В.*, Новиков А.В.**, Шалеев М.В.*, Юнин П.А.*
Влияние знака деформации на рост SiGe напряженных структур
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия - Якимов А.И.*, Кириенко В.В.*, Армбристер В.А.*
Повышение эффективности излучательной рекомбинации в слоях квантовых точек Ge/Si после обработок в водородной плазме
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Ярыкин Н.А.*
Медь в кремнии: комплексообразование и взаимодействие с радиационными дефектами
*Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия - нагаёси х.*, Diplas S.**, Walmsley J.C.**, Graff J.S.**, Chirvony V.***, Juan P.***, Ulyashin A.**
Ultra Fine Silicon Nanowire Growth Using Hydrogen Radical Etching Reaction
*Tokyo National College of Technology (Tokyo), Япония
**SINTEF Materials and Chemistry (Oslo), Норвегия
***University of Valencia (Valencia), Испания