Труханов, Евгений Михайлович
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66,
Fax: +7(383) 333-27-71
Reports list
- Kolesnikov A.*, Труханов Е.М.*, Loshkarev I.*, Ильин А.С.*
Tilt boundaries formation in vicinal (001) heterosystem GeSi/Si and GaAs/Si.
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
- Фрицлер К.Б.*, Труханов Е.М.*, Калинин В.В.*
Исследование дефектной структуры монокристаллов БЗП кремния на различных этапах кристаллизации
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
To participants list