Back

Popov, Vladimir Pavlovich


A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71

Reports list

  1. Malyarenko N.F.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
    Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
  2. Kulubaeva E.G.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
    Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
    *A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia

To participants list