Брылевский, Виктор Иванович

Report

• Брылевский В.И.^*, Грехов И.В.^*, Брунков П.Н.^*, Rodin P.B.^**, Смирнова И.А.^**
  Influence of Silicon Growth Method and Structure Doping Profile on Subnanosecond Avalanche Switching of High Voltage Diodes
  ^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) (St. Petersburg), Russia
  ^**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (St. Petersburg), Russia