Baranov, Gleb Vladimirovich
EngineerОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники"
Russia, Moscow
Report
- Baranov G.V.*, Italyantsev A.G.**, Orlov O.M.***, Peskov S.G.****
Features of Transient Enhanced Arsenic Diffusion in Si/SiO2 structure
*ОАО "Научно исследовательский институт молекулярной электроники" (Moscow), Russia
**ОАО "НИИ Молекулярной Электроники" (Moscow), Russia
***НИИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ (Москва Зеленоград), Russia
****ОАО "НИИМЭ и Микрон" (Moscow), Russia