Fomin, Boris Ivanovich
A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS
http://www.isp.nsc.ru/
Russia, 630090, Novosibirsk, Ac. Lavrentiev Ave, 13
Phone: +7(383) 333-27-66, Fax: +7(383) 333-27-71
Reports list
- Malyarenko N.F.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
Определение плотности поверхностных состояний и зарядового состояния кни-нанопроволочных сенсоров при адсорбции белка
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Kulubaeva E.G.*, Naumova O.V.*, Fomin B.I.*, Popov V.P.*
Подвижность электронов в обогащении в слоях КНИ при различном состоянии поверхности
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia - Фрицлер К.Б.*, Чистохин И.Б.*, Fomin B.I.*, Калинин В.В.*, Pchelyakov O.*
Эффект геттерирования при изготовлении pin фотодиодов на высокомном кремнии
*A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS (Novosibirsk), Russia