Назад

Денисов С.А.   Матвеев С.А.   Чалков В.Ю.   Филатов Д.О.   Машин А.И.   Круглов А.В.   Трушин В.Н.   Гусейнов Д.В.   Шенгуров В.Г.   Иванова М.М.  

Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки

Докладчик: Иванова М.М.

Файл тезисов: Si-2014_Ivanova3.doc


К списку докладов

Комментарии

Имя:
Код подтверждения: